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解決方案
多排焊盤外殼封裝IC金絲球焊鍵合技術(shù)
在多層多排焊盤外殼封裝電路的引線鍵合中,由于鍵合的引線密度較大,鍵合引線間的距離較小,鍵合點(diǎn)間的距離也較小,在電路的鍵合中就需要對鍵合點(diǎn)的位置、質(zhì)量、鍵合引線的弧線進(jìn)行很好的控制,否則電路鍵合就不能滿足實(shí)際使用的要求。文中就高密度多層、多排焊盤陶瓷外殼封裝集成電路金絲球焊鍵合引線的弧線控制、外殼焊盤常規(guī)植球鍵合點(diǎn)質(zhì)量問題進(jìn)行了討論,通過對鍵合引線弧線形式的優(yōu)化以及采用"自模式"植球鍵合技術(shù)大大提高了電路鍵合的質(zhì)量,鍵合的引線達(dá)到工藝控制和實(shí)際使用的要求。同時,外殼焊盤上鍵合的密度也得到了提高。
